[11a-Z10-1~10] 13.3 絶縁膜技術

△ [11a-Z10-7] トレンチ形成Si基板にALD成膜したSiN膜の評価

〇西原 達平¹、横川 凌^1,2、大槻 友志³、加賀谷 宗仁³、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート、3.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社)

キーワード：ALD, SiN, Trench