2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.11 フォトニック構造・現象

[11a-Z18-1~10] 3.11 フォトニック構造・現象

2020年9月11日(金) 09:30 〜 12:15 Z18

新家 昭彦(NTT)、角倉 久史(NTT)

11:15 〜 11:30

[11a-Z18-7] ドライエッチングによるメサ型導波路を有するフォトニック結晶レーザ構造作製の検討

青盛 翔太1、樋口 拓也1、森藤 正人1、梶井 博武1、近藤 正彦1 (1.阪大院工)

キーワード:半導体, フォトニック結晶

ドライエッチングによってAlGaAs/GaAs多層膜上にフォトニック結晶レーザのパターンを作製する方法について検討を行った。従来、我々の研究室では層ごとに3つの段階に分割してガス比を変化させてエッチングを行うことでパターンを作製してきた。しかし、この方法ではプロセスの制御が難しかったため、本研究では1段階のみのエッチングによってパターンを作製することが可能なエッチングパラメータの探索を行った。