[11a-Z25-1~10] 12.2 評価・基礎物性

△ [11a-Z25-10] ケルビンプローブフォース顕微鏡によるアルキルフタロシアニン塗布薄膜の界面物性評価Ⅲ

〇正能 拓馬¹、石裏 遼¹、藤井 彰彦¹、有田 誠²、須藤 孝一³、尾﨑 雅則¹ (1.阪大院工、2.九大院工、3.阪大産研)

キーワード：有機半導体, 表面電位, ケルビンプローブフォース顕微鏡

電子デバイス応用に向けて溶液プロセスによって作製された有機半導体薄膜と電極材料の界面物性の解明は重要である．本研究では，安定性に優れたn-Si及びHOPG基板上にアルキルフタロシアニン単結晶塗布薄膜を作製し，KFM観察を行うことで基板界面物性について評価した．表面電位差は膜厚に依存して変化し，仕事関数が等価なn-SiとHOPGで同様の膜厚依存性を示したことから，有機半導体と電極との仕事関数差が重要な因子と示唆された．