[11a-Z28-1~16] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[11a-Z28-14] 単層MoS₂ナノチューブのバンドギャップクロスオーバー

〇(DC)久間 馨¹、丸山 実那²、岡田 晋²、千足 昇平¹、丸山 茂夫¹ (1.東大工、2.筑波大数理)

キーワード：ナノチューブ, 二硫化モリブデン, 密度汎関数理論

二硫化モリブデンのナノチューブ (MoS₂ NT) は, 直接ギャップを有する単層MoS2とは異なり, zigzag型を除き間接ギャップの半導体と予想されている. しかし, 十分大きな直径の MoS₂ NT は,単層 MoS₂ の電子状態に近づき, 直接ギャップを持つと期待される. 本研究では密度汎関数理論を用いて, MoS₂NTの電子構造を計算し、直径の増加に伴ってK点起因の価電子帯上端の上昇により、直接ギャップに近づくことを明らかにした.