[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

[11a-Z29-14] 鉛直電場が印加されたMoS₂/WS₂ヘテロ積層構造体中のキャリア分布

〇丸山 実那¹、長汐 晃輔²、岡田 晋¹ (1.筑波大数理、2.東大工)

キーワード：遷移金属カルコゲン化合物, ヘテロ積層系, FET

本研究では、密度汎関数理論を用いて、鉛直電場を印加したMoS₂/WS₂ヘテロ積層系への電界効果によるキャリア蓄積現象の解明を行った。MoS₂側の電極が正である正電場下では、注入された電荷はMoS₂に集中して分布し、他方で負電場下では、注入された電荷はMoS₂とWS₂へほぼ等しく分布することを明らかにした。この非対称な電子分布は、電場の向きに加えて電場の大きさ、電荷の注入量、積層配向によって変調される。