[11a-Z29-1~15] 17.3 Layered materials

[11a-Z29-15] Electronic structure modulation of MoS₂ via Solid state ionic gating by nanowire network

〇Yuki Aoki¹, Keigo Matsuyama¹, Akito Fukui¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:Transition metal dichalcogenide, 2D semiconductor

近年、グラフェンや遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC: Transition metal dichalcogenide)に代表される二次元材料に注目が集まっている。代表的なTMDCの一つであるMoS₂は、単層において3原子分の厚みを有する層状無機半導体として知られている。これまでに、電界効果型デバイス構造を用いて、MoS₂内の光電子特性の電界変調が確認されている^[1]。本研究では、無機ナノワイヤを絶縁層として用いてゲーティングを行った。MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)を作製し、MoS₂電子状態の変調について検討を行ったので報告する。