[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

[11a-Z29-6] 熱処理によるhBN/単層MoTe₂ヘテロ構造の界面不純物除去

〇林田 隼弥¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、澤野 憲太郎¹、星 裕介¹ (1.東京都市大学、2.NIMS)

キーワード：半導体, 遷移金属ダイカルコゲナイド