[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

△ [11a-Z29-7] 基板表面ラフネスに依存したWS₂単層膜における励起子-励起子消滅

〇梶野 祐人¹、音 賢一¹、山田 泰裕¹ (1.千葉大院理)

キーワード：非線形緩和ダイナミクス, 低次元物質, 遷移金属ダイカルコゲナイド

本研究では、表面ラフネスの異なる様々な基板上にWS₂単層膜を作製し、室温における発光緩和ダイナミクスの測定を行った。その結果、基板表面ラフネスに依存した実効励起子-励起子消滅(EEA)レート定数の大きな変化を見積もった。また、ポテンシャル変動を考慮した新しいEEAモデルを提案し、本質的なEEAレート定数を推定した。