[11a-Z29-1~15] 17.3 層状物質

△ [11a-Z29-8] Cr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の作製と磁気特性の評価

〇真島 裕貴¹、Saika Bruno Kenichi¹、松岡 秀樹¹、中野 匡規^1,2、吉田 訓¹、石坂 香子^1,2、岩佐 義宏^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

キーワード：二次元物質, 遷移金属カルコゲナイド, 分子線エピタキシー法

近年遷移金属カルコゲナイドの多彩な物性と機能が注目を集めている。最近、分子線エピタキシー法を用いてNbSe₂にCrをドーピングする事により、層間にCrが規則的に配列したインターカレーション相を伴う、高品質なCr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の作製に成功した。本発表では薄膜合成手法を紹介し、得られた試料の構造や物性について議論する。