2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年9月11日(金) 12:30 〜 15:30 Z01

中村 芳明(阪大)、山口 憲司(量研機構)

12:30 〜 12:45

[11p-Z01-1] 各種Mg/Sn融液組成で成長したMg2Sn結晶の電気特性

土谷 直史1、佐藤 彰1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大院)

キーワード:Mg2Sn

Mg2SnはMg2Siに比べて禁制帯幅が狭く、正孔移動度も高いため、室温付近で利用できるpn対の揃った単一の熱電変換材料として注目できる。これまで焼結材料のMg2SiSn多結晶体の研究は熱電変換材料として盛んに行われているが、Mg2Sn単結晶についての電気特性の報告は限定的である。Lichterらは、化学量論比からずれたMg/Sn融液組成で結晶を成長した場合、融液組成がMg-richとSn-richで、飽和キャリアがそれぞれp型、n型を示すと報告している。今回、我々はより高純度な原料とルツボ材料を使用してMg2Sn単結晶を成長し、Mg-Sn融液の化学量論比からのずれが結晶の電気特性に及ぼす影響を調査した。