[11p-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[11p-Z01-11] Pieezoresistane Effects of Germanium (I)

〇Kazunori Matsuda¹, Souma Ikuta¹, Tomoya Nakatani¹, Shiro Nagaoka², Kazuo Tsutsui³ (1.Tokushima Bunri Univ., 2.NIT Kagawa, 3.Tokyo Ist. Tech.)

Keywords:Germanium, Piezoresistance Effect

Geは融点が低く技術の開発と実験の材料としてはSiよりはるかに扱いやすいかったため，1955年ごろまで半導体の主な研究と開発に使われていたが，その後はSiの優位性が明確になり，Geは使われなくなった．現代になってもGeのピエゾ抵抗係数は60年ほど前に調べられたSmith の実験値の他には存在しない．本研究ではGeのピエゾ抵抗効果の実験を行い，新しく得られた知見について報告する．