[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-Z01-11] Geのピエゾ抵抗効果（Ⅰ）

〇松田 和典¹、生田 壮馬¹、中谷 友哉¹、長岡 史郎²、筒井 一生³ (1.徳文大理工、2.香川高専電子、3.東工大)

キーワード：ゲルマニウム, ピエゾ抵抗効果

Geは融点が低く技術の開発と実験の材料としてはSiよりはるかに扱いやすいかったため，1955年ごろまで半導体の主な研究と開発に使われていたが，その後はSiの優位性が明確になり，Geは使われなくなった．現代になってもGeのピエゾ抵抗係数は60年ほど前に調べられたSmith の実験値の他には存在しない．本研究ではGeのピエゾ抵抗効果の実験を行い，新しく得られた知見について報告する．