2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年9月11日(金) 12:30 〜 15:30 Z01

中村 芳明(阪大)、山口 憲司(量研機構)

13:30 〜 13:45

[11p-Z01-5] 理論限界効率を示すBaSi2太陽電池のデバイスシミュレーション

原 康祐1 (1.山梨大クリスタル研)

キーワード:バリウムシリサイド, 太陽電池, デバイスシミュレーション

BaSi2を光吸収層とする理想的な太陽電構造と、それを実現できる電子・正孔輸送層の条件を明らかにすることを目的に研究を行った。デバイスシミュレーションの結果、バンドギャップが約3 eVの電子・正孔輸送層でBaSi2を挟んだデバイス構造により、理論限界効率(33%)と一致する太陽電池特性を得た。今回の結果は、高効率なBaSi2太陽電池の開発指針となり得る。