[11p-Z01-1~11] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

△ [11p-Z01-9] Evaluation of in-gap states of inorganic semiconductors by High Sensitivity Ultraviolet Photoemission Spectroscopy

〇(M1)Ryotaro Nakazawa¹, Kohei Shimizu¹, Yuya Tanaka^1,2, Ishii Hisao^1,2,3 (1.GSSE Chiba Univ., 2.CFS Chiba Univ., 3.MCRC Chiba Univ.)

Keywords:Ultraviolet Photoemission Spectroscopy, inorganic semiconductor, Constant Final States

半導体デバイスの性能を改善するにはギャップ内準位を正確に観測し制御する必要がある。しかし、現状ではその観測は容易でなく、間接的な手法や原理的に異なる手法を代用している。そこで我々は、高感度紫外光電子分光(HS-UPS)を用いてSi、ZnO、GaNの占有ギャップ内準位を直接的に評価した。ZnOで約3桁、p-GaN、Siで約6桁に及ぶレンジで観測に成功し、ギャップ内準位の明確な光電子放出を観測できた。