[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [11p-Z01-9] 高感度紫外光電子分光による無機半導体のギャップ内準位の評価

〇(M1)中澤 遼太郎¹、清水 康平¹、田中 有弥^1,2、石井 久夫^1,2,3 (1.千葉大院融合理工、2.千葉大先進、3.千葉大MCRC)

キーワード：紫外光電子分光, 無機半導体, 終状態固定法

半導体デバイスの性能を改善するにはギャップ内準位を正確に観測し制御する必要がある。しかし、現状ではその観測は容易でなく、間接的な手法や原理的に異なる手法を代用している。そこで我々は、高感度紫外光電子分光(HS-UPS)を用いてSi、ZnO、GaNの占有ギャップ内準位を直接的に評価した。ZnOで約3桁、p-GaN、Siで約6桁に及ぶレンジで観測に成功し、ギャップ内準位の明確な光電子放出を観測できた。