[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-1] Relation between Crystallinity and Emission Property in RF-MBE Growth of GaN

〇Naozumi Tachibana¹, Mari Hashimoto¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Tohru Honda¹, Takeyoshi Onuma¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:MBE, Nitride

Al_xGa_1-xNのバンドギャップは深紫外域を網羅し、発光素子や電子素子への応用が進んでいる。最近では、高品位なAlNテンプレートやAlN基板の使用により、素子特性が飛躍的に向上している。我々は、RFプラズマ援用分子線エピタキシー(RF-MBE)法によりGaNテンプレート上へのAlGaN成長に取り組み、臨界膜厚が結晶性や表面平坦性に与える影響を報告してきた。本研究では、GaN、AlNテンプレート上にV/III比を変化させGaN成長を行い、結晶性や表面平坦性と発光特性や電気特性の関係を調査したので報告する。