[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-11] スパッタ法アニール処理AlN上GaN薄膜のMOVPE成長

〇(M2)白土 達也¹、上杉 謙次郎²、窪谷 茂幸²、正直 花奈子¹、三宅 秀人^1,3 (1.三重大院工、2.三重大地創戦略企、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：MOVPE, GaN, HEMT

GaN HEMTにおいて、チャネル層GaNには良好な表面平坦性が求められる。我々はアニール処理スパッタAlN（FFA Sp-AlN）上にMOVPE法でホモエピ成長することで、低い転位密度と良好な表面平坦性を有するAlN膜の作製に成功している。しかし、AlN上GaN成長では三次元成長による表面平坦性の低下が課題であった。本研究では、N₂キャリアガスを用いたFFA Sp-AlN上GaN成長によりGaN薄膜の表面平坦性を向上させた。さらにGaN薄膜上へAlGaN成長を行い、電気的特性を評価した。