[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-12] AlNテンプレート上AlGaN/In_xGa_1-x Nヘテロ構造の成長

〇角谷 正友¹、高原 悠希^1,2、今中 康貴¹、Alghamdi Amira^1,3、Gunther Andersson³、竹端 寛治¹、上殿 明良² (1.物材機構、2.筑波大、3.フリンダース大)

キーワード：III-V族窒化物, AlNテンプレート, MOCVD

サファイア基板上AlNテンプレートの重要性が高まっている。その上に成長したヘテロ構造によるデバイス開発と特性向上に向けてAlNテンプレート上のIII-V族窒化物薄膜成長を議論することは重要である。今回、AlNテンプレート上にGaN薄膜を成長する際に、下地であるAlNテンプレート自体がa軸長や半値幅が変化することを見出し、その上にAlGaN/In_xGa_1-xNヘテロ構造を作製して磁場中でヘテロ界面での輸送特性について検討した。