[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-13] Strain Relaxation in AlGaN Grown on Annealed Sputtered AlN by Introduction of Superlattices

〇Takafumi Inamori¹, Shoya Ishihara¹, Tatsuya Shirato¹, Shigeyuki Kuboya², Kanako Shojiki¹, Kenjiro Uesugi², Hideto Miyake^1,3 (1.Mie Univ. Grad. Sch. of Eng., 2.Mie Univ. SPORR., 3.Mie Univ. Grad. Sch. of RIS)

Keywords:MOVPE, strain relaxation, superlattices

圧縮歪みの強いAlNテンプレート上に歪み緩和したAlGaN層をMOVPE成長させることを目的として、テンプレートとAlGaN層の間にH₂およびH₂+N₂混合の2種類のキャリアガスを用いてAlN/GaN超格子構造を成長させた。超格子構造の挿入によりどちらのキャリアガスでも歪み緩和を観察できた。また、超格子構造成長時にH₂+N₂混合のキャリアガスを用いることで、H₂キャリアガスを用いて成長した試料と比べ、結晶性が改善され平坦な表面が得られた。