[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-17] ファセット成長による高組成InGaN下地層の検討

〇(M1)西 直矢¹、河村 澪¹、川村 洋史¹、原田 裕也²、俵迫 勇也²、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大院創成、2.山口大工)

キーワード：InGaN, 下地層, MOVPE

可視光InGaN系LEDは発光波長が長波長になるにつれ、LEDの発光効率は低下する。InGaN下地層を用いることで下地層と発光層の格子定数差は小さくなりミスフィット転位の減少や QCSE の低減等が期待される。我々はこれまでに、In組成2~3%のInGaN下地層上にMQWを成長し長波長化に成功したLEDを作製してきた。そこで、更なる長波長化を目指しIn組成10%を目標とした高組成のInGaN下地層の作製を試みたので報告する。