[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [11p-Z02-18] Orientation and stable side analysis of pits generated during GaN growth on Si substrates

〇Kazuya Okamoto¹, Momoko Deura¹, Takashi Yoda^2,4, Hideshi Takahashi², Kiyotaka Miyano², Masayuki Tsukui², Takeshi Momose¹, Masakazu Sugiyama^1,3, Yukihiro Shimogaki¹ (1.School Eng., The Univ. Tokyo, 2.NuFlare Technology, 3.RCAST, The Univ. Tokyo, 4.FIRST, Tokyo Tech.)

Keywords:pit, GaN, Si substrate

Si基板上のGaN-MOVPEにおいて，ある製膜条件下でGaN表面に丸ピットと角ピットと呼称する方位・形状の異なる六角錐ピットが出現する．ともにAlNバッファ層内の結晶方位回転領域に起因して発生するが，発展機構が異なると推測される．今回SLS層表面のピットを観察したところ，明瞭な六角錐が丸ピットに，十二角錐が角ピットに対応すると分かった．AlNとGaNで成長条件に対する安定面が異なる可能性がある．