[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [11p-Z02-18] Si基板上GaN成長におけるピットの方位と出現面の解析

〇岡本 和也¹、出浦 桃子¹、依田 孝^2,4、高橋 英志²、宮野 清孝²、津久井 雅之²、百瀬 健¹、杉山 正和^1,3、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.東大先端研、4.東工大未来研)

キーワード：ピット, GaN, Si基板

Si基板上のGaN-MOVPEにおいて，ある製膜条件下でGaN表面に丸ピットと角ピットと呼称する方位・形状の異なる六角錐ピットが出現する．ともにAlNバッファ層内の結晶方位回転領域に起因して発生するが，発展機構が異なると推測される．今回SLS層表面のピットを観察したところ，明瞭な六角錐が丸ピットに，十二角錐が角ピットに対応すると分かった．AlNとGaNで成長条件に対する安定面が異なる可能性がある．