[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-3] Effect of Si anti-surfactant on lattice relaxation during GaInN crystal growth on GaN

〇Haruka Yokoyama¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Takuo Sasaki², Soichiro Ohno¹, Takanori Kiguchi³, Hiroki Hirukawa¹, Seiji Fujikawa², Masamitu Takahasi², Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ., 2.QST, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:GaInN, MBE, anti-surfactant

高品質なGaInN薄膜は、光無線給電(OWPT)用の受光器応用に期待される。高品質GaInNヘテロエピタキシャル膜を得るためには、格子緩和プロセスの制御が必要となる。本研究では、GaN上GaInN成長時のその場X線逆格子マッピング(XRD-RSM)観察を通して、格子緩和のためのSiアンチサーファクタントの有効性を検証した。Siアンチサーファクタントは、成長しているGaInNの格子緩和を促進するのに有用であると結論付けることができる。