[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-3] GaInN/GaN成長時の格子緩和に対するSiアンチサーファクタントの効果

〇横山 晴香¹、山口 智広¹、佐々木 拓生²、大野 颯一朗¹、木口 賢紀³、比留川 大輝¹、藤川 誠司²、高橋 正光²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大、2.量研、3.東北大)

キーワード：GaInN, MBE, アンチサーファクタント

高品質なGaInN薄膜は、光無線給電(OWPT)用の受光器応用に期待される。高品質GaInNヘテロエピタキシャル膜を得るためには、格子緩和プロセスの制御が必要となる。本研究では、GaN上GaInN成長時のその場X線逆格子マッピング(XRD-RSM)観察を通して、格子緩和のためのSiアンチサーファクタントの有効性を検証した。Siアンチサーファクタントは、成長しているGaInNの格子緩和を促進するのに有用であると結論付けることができる。