[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11p-Z02-4] Fabrication and characterization of high quality sputtered GaN film by low oxygen GaN target

〇Yuya Suemoto¹, Yoshihiro Ueoka¹, Masami Mesuda¹, Liwen Sang², Takahiro Nagata² (1.Tosoh co., 2.NIMS)

Keywords:GaN, sputtering, epitaxial

我々は独自の焼結技術による高密度・低酸素のGaN焼結体ターゲットを開発しており、スパッタリング法でサファイア基板上にMOCVD法と同等の回折強度を持つGaNが成膜可能であることを過去に報告した。本発表では、サファイアおよびSi基板上においてさらに結晶性を改善したスパッタリング法によるGaN薄膜について報告する。