[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-4] 低酸素GaNスパッタリングターゲットを用いた高結晶性GaNの作製と評価

〇末本 祐也¹、上岡 義弘¹、召田 雅実¹、サン リーウェン²、長田 貴弘² (1.東ソー（株）、2.物質・材料研究機構)

キーワード：窒化ガリウム, スパッタリング, エピタキシャル

我々は独自の焼結技術による高密度・低酸素のGaN焼結体ターゲットを開発しており、スパッタリング法でサファイア基板上にMOCVD法と同等の回折強度を持つGaNが成膜可能であることを過去に報告した。本発表では、サファイアおよびSi基板上においてさらに結晶性を改善したスパッタリング法によるGaN薄膜について報告する。