RFマグネトロンスパッタ法を用いたGaN薄膜の作製とその電気抵抗の圧力依存性の評価

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月11日(金) 13:00 〜 18:15 Z02

荒木努(立命館大)、新田州吾(名大)、谷川智之(阪大)

14:00 〜 14:15

〇(M2)齋藤佑樹¹、宮本卓哉¹、佐藤祐喜¹、大鉢忠¹、吉門進三¹、竹本菊郎²、宇野裕行²、木村直人²、高崎正規² (1.同志社大院理工、2.ヤマナカヒューテック)

キーワード：GaN, スパッタ