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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月11日(金) 13:00 〜 18:15 Z02

荒木努(立命館大)、新田州吾(名大)、谷川智之(阪大)

14:30 〜 14:45

[11p-Z02-7] MBEによるAlN/h-BNバッファ層上GaN薄膜のエピタキシャル成長

〇原田文矢¹、中澤日出樹¹、岡本浩¹、廣木正伸²、熊倉一英²、小林康之¹ (1.弘前大、2.日本電信電話(株)NTT物性基礎研)

キーワード：窒化ホウ素, 分子線エピタキシー