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[11p-Z02-9] AlN 上にコヒーレント成⻑したNbN 極薄膜の超伝導特性
キーワード：超伝導, 窒化物半導体
量子計算や量子通信分野では，量子デバイスを基幹とするハードウェア技術の開発が活況を見せている．超伝導薄膜は，絶縁体や半導体とヘテロ接合させることで多彩な量子現象が発現し，超伝導量子コンピュータ，単一光子検出器，ホットエレクトロンボロメータ，超伝導LEDなどへの応用が検討されている．窒化ニオブ(NbN)は極低温で超伝導を示し，NaCl型構造に結晶化する場合はその(111)面と窒化物半導体(0001)面の格子不整が小さくなる．すなわち，エピタキシャル成長によってNbNと窒化物半導体の機能が融合された素子を作製できる可能性がある．しかしながら，窒化物半導体上への高品質NbN薄膜の作製プロセスは確立されておらず，特に極薄膜NbNの構造特性や伝導特性に関して不明な点が多い．本研究では，高融点材料の薄膜成長に適したスパッタ法で，AlN上にNbN薄膜を作製し，NbN/AlNヘテロ構造の評価を行った．