[11p-Z04-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-Z04-13] Estimation of parasitic circuit elements by measuring radiated emission in GaN-WPT circuit (II)

〇Toshihide Ide^1,2, Mitsuaki Shimizu¹, Noriyuki Takada² (1.NU-AIST GaN-OIL, 2.AIST RIAEP)

Keywords:GaN, Wireless Power Transmission, Parasitic Elements

GaN電子デバイスを用いたワイヤレス給電（Wireless Power Transmission: WPT）回路は高出力化のみならず高周波動作による回路の小型化も期待できる。GaNデバイスを高速スイッチング回路に用いた際にGaNデバイスと配線の寄生インダクタンスによる共振からノイズが発生することが知られており、前回我々はGaN-WPT回路においても同様に放射電磁界からノイズ等の原因となる寄生素子を抽出する方法について報告した。本研究では、GaN-WPT回路の放射電磁界計測における寄生容量の影響とインダクタンス抽出法の相関について調べたので報告する。