[11p-Z04-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-Z04-13] 放射電磁界計測による寄生素子抽出法のGaN-WPTへの応用（II）

〇井手 利英^1,2、清水 三聡¹、高田 徳幸² (1.産総研 GaN-OIL、2.産総研 電子光)

キーワード：GaN, ワイヤレス給電, 寄生素子

GaN電子デバイスを用いたワイヤレス給電（Wireless Power Transmission: WPT）回路は高出力化のみならず高周波動作による回路の小型化も期待できる。GaNデバイスを高速スイッチング回路に用いた際にGaNデバイスと配線の寄生インダクタンスによる共振からノイズが発生することが知られており、前回我々はGaN-WPT回路においても同様に放射電磁界からノイズ等の原因となる寄生素子を抽出する方法について報告した。本研究では、GaN-WPT回路の放射電磁界計測における寄生容量の影響とインダクタンス抽出法の相関について調べたので報告する。