[11p-Z04-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-Z04-2] ラマン分光法によるGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの自己発熱評価

〇万 澤欣¹、高月 大輝¹、林 家弘²、梁 剣波¹、東脇 正高²、重川 直輝¹ (1.大阪市立大工、2.情通機構)

キーワード：ワイドギャップ半導体材料, ラマン分光

β-Ga₂O₃は新規ワイドギャップ半導体材料として、パワーデバイスへの応用が期待されている。ただし、低い熱伝導率がβ-Ga₂O₃デバイスの特性を制限しているため、熱マネジメントが重要な課題になっている。本研究では顕微ラマン分光法を用いて通電中のβ-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード（SBD）の温度を評価し、計算結果と比較する。