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[11p-Z04-4] ベータ型(AlGa)2O3/Ga2O3 共鳴トンネルダイオードの作製
キーワード：酸化ガリウム, 共鳴トンネルダイオード, 高濃度ドーピング
ベータ型-酸化ガリウム/酸化アルミニウムガリウム層を用いたダブルヘテロ構造と高濃度Snドープ酸化ガリウム層の結晶成長について報告する。酸化ガリウムおよび酸化アルミニウムガリウム層は、β型酸化ガリウム(010)基板上にプラズマ援用分子線エピタキシ法により結晶成長を行った。酸化ガリウム層に高濃度Snドープすることで、2ｘ10-3 Ωcmのシート抵抗と9ｘ10-6 Ωcm-2 の接触抵抗を実現した。この高濃度n型酸化ガリウム層に挟まれた酸化ガリウム/酸化アルミニウムガリウム層によるダブルヘテロ構造を有するダイオードを作製したところ、室温で負性抵抗を示した。理論計算値と比較したところ、共鳴トンネル現象ではなく、キャリアトラップによるものと思われる。