[11p-Z04-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-Z04-7] サブミクロン Ga₂O₃ MOSFETの遅延時間解析

〇上村 崇史¹、中田 義昭¹、東脇 正高¹ (1.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム, 高周波FET, 遅延時間解析

前回、ゲート長（L_g）/チャネル層厚のアスペクト比を高く保ったGa₂O₃ MOSFETを作製し、L_g = 200 nmでGa₂O₃ FETとして最高値である最大発振周波数27 GHzを記録した。今回、L_g = 50–1000 nmのGa₂O₃ MOSFETにおいて、電流利得遮断周波数のL_g依存性から簡単な遅延時間解析を行い、電子がゲート下を通過する際の有効電子速度、および総遅延時間中の各遅延成分を抽出した。