The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.5 Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new applications

[11p-Z05-1~15] 8.5 Plasma phenomena, emerging area of plasmas and their new applications

Fri. Sep 11, 2020 1:30 PM - 5:30 PM Z05

Tachibana Kosuke(Oita Univ.), Shimizu Tetsuji(AIST)

3:00 PM - 3:15 PM

[11p-Z05-7] Decomposition of terephthalic acid by pulsed discharge plasma exposure (3) - Estimation of OH production rate -

Kazuhiro Takahashi1, Kohki Satoh1 (1.Muroran I. T.)

Keywords:terephthalic acid, OH radical, Plasma exposed water

テレフタル酸(TA)水溶液に水上パルス放電を照射したときの副生成物を液体クロマトグラフ質量分析により調査し,推定した反応過程を基に0次元モデルで反応速度式を計算してOHラジカルの生成レートを推定した。OHラジカルの生成レートは14.9 nmol/sとなり,従来の方法であるヒドロキシテレフタル酸の生成量とTAがOHラジカルを捕捉する割合から求める方法などと比べて高い値となった。