[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [11p-Z07-1] 熱流設計に基づく抵抗変化メモリ(ReRAM)のフィラメントデザイン

〇(M2)佐々木 悠太¹、木下 健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：抵抗変化型メモリ, 有限要素法シミュレーション, 熱伝導度

抵抗変化型メモリReRAMのUnipolar 動作について, 酸素欠陥(Vo)の電界ドリフトを用いて説明した報告もあるが, 電界ドリフトが一方向に働くことを考慮すると, Vo分布の偏析を避けられず, 高い繰り返し耐性と矛盾するように見える. 本研究では, 電界の方向に依存しない拡散力, 濃度勾配拡散(Fick 拡散)と温度勾配拡散(Soret 拡散)を考慮したVo 拡散シミュレーションを実施した.