2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 13:00 〜 16:45 Z07

島 久(産総研)、加藤 誠一(物質・材料研究機構)

16:15 〜 16:30

[11p-Z07-13] 酸素過剰アモルファスAl2O3の電子状態:第一原理計算

籾田 浩義1、芦澤 公一2、大塚 尚孝2、佐々木 勝寛2、小口 多美夫1 (1.阪大産研、2.UACJ)

キーワード:第一原理計算, アモルファス酸化物

本研究は、酸素過剰アモルファスAl2O3におけるバンドギャップ近傍の電子状態を理論的に明らかにすることを目的とする。アモルファスモデル構造を用いた第一原理計算により、過剰酸素が作るO-O結合に由来したバンドが価電子帯上端および伝導体下端に出現することが示される。また、過剰酸素の荷電状態に依存して、局所原子構造や電子バンド構造は顕著に変化することが示される。