[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-14] ドーピングレスｐ型酸化アルミニウム半導体の作製と特性

〇芦澤 公一¹、大塚 尚孝¹、佐々木 勝寛¹、加藤 誠一²、児子 精祐² (1.(株)UACJ、2.NIMS)

キーワード：ドーピングレス ｐ型半導体, 酸化アルミニウム半導体, 溶融電解

酸素過剰によるｐ型酸化アルミニウム半導体の作製を試みた。作製した薄膜のI-V測定によりp型特性とヒステリシス特性が得られ、本薄膜はドープレスｐ型半導体であることが分かった。