[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [11p-Z07-2] Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関

〇宮谷 俊輝¹、西 佑介¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ, ラザフォード後方散乱

異なる金属(Ni, Ta, Ti)を上部電極としたMetal/TaO_x/Pt素子に対して、高分解能ラザフォード後方散乱を用いた化学組成分布の非破壊分析および抵抗変化特性の評価を行った。本講演では、それぞれの結果から得られる、TaO_x層中での酸素空孔生成量と高抵抗化時における抵抗のアナログ制御性の相関に関して議論する。