[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [11p-Z07-4] 水素プラズマ処理したPt/Nb:SrTiO₃接合の抵抗スイッチング特性と光電子分光評価

〇(M1)村上 大晟^1,2、大澤 健男²、大垣 武²、石垣 隆正¹、大橋 直樹² (1.法政大、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化型メモリ, 抵抗スイッチング現象

遷移金属酸化物を金属電極で構成されるショットキー接合素子に電圧を印加すると、電気抵抗の高抵抗状態(HRS)と低抵抗状態(LRS)が可逆的に変化する抵抗スイッチング特性が観察される。本研究では、高真空または低真空下でマグネトロンスパッタリング法により作製したPt/Nb:SrTiO₃(001)接合について、水素プラズマ処理を実施し、抵抗スイッチング特性と界面の電子状態の変化を見出したので報告する。