[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [11p-Z07-5] デジタル型/アナログ型抵抗変化特性を示すCBRAMのその場構造解析

〇武藤 恵¹、中島 励¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ, CBRAM, TEMその場観察

急峻な(デジタル的な)抵抗変化と緩やかな(アナログ的な)特性を持つCBRAMのTEMその場観察を行い、抵抗変化特性と微細構造変化との相関を評価した。WO_Xで作製した前者は、制限電流の増加により電極間をつなぐCuのフィラメントが形成された。一方、MoO_Xで作製した後者は、極めて小さな構造変化にとどまった。抵抗変化特性の違いを構造変化の違いとして観測したが、これは材料によるCu拡散速度の違いを反映していると考えられる。