[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-7] Ti/HfO₂/Au-ReRAMにおけるRESET時の電圧パルス下抵抗変化挙動へのHfO₂膜の膜質の相違が与える影響

〇森本 雅大¹、畠中 林太郎¹、依岡 拓也¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関大理工)

キーワード：抵抗変化メモリ, 人工シナプス