2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 13:00 〜 16:45 Z07

島 久(産総研)、加藤 誠一(物質・材料研究機構)

15:15 〜 15:30

[11p-Z07-9] Ga-In-Sn-Ta液体金属合金の表面酸化膜を用いた抵抗変化型素子の動作実証

前田 直輝1、番 貴彦1、山本 伸一1 (1.龍谷大理工)

キーワード:抵抗変化, 液体金属

Ga-In-Sn-Ta液体金属合金を電極とし、その表面上に形成される金属酸化膜Ta2O5を絶縁体層とした抵抗変化型素子を作製し、評価を行った。素子作製の際には下部電極と絶縁体層の接触箇所を制御するため、電極保護膜としてODPA-SAMを使用した。I-V測定を行って結果、抵抗変化動作を確認することができた。また、破壊された絶縁体層の再形成なども確認した。