[11p-Z08-1~19] 10.1 Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and charactrization methodologies)

[11p-Z08-16] Magnetic tunnel junctions with metastable bcc CoMnFe electrodes

〇Junichi Ikeda^1,2, Tomohiro Ichinose², Tomoki Tsuchiya^3,4, Yuta Onodera^1,2, Kazuya Suzuki^2,4, Shigemi Mizukami^2,3,4 (1.Tohoku Univ., 2.WPI-AIMR, 3.CSIS, 4.CSRN)

Keywords:spintronics, TMR effect

磁気抵抗不揮発性メモリや磁気センサーの更なる高性能化や，新規人工知能デバイスの実現に向けては，より大きなTMR比を発現する新しいMTJ材料の探索やその材料物理の理解が求められる．我々は材料の探索の幅を広げるために準安定相材料に着目した研究を進め，そのうちの一つであるbcc CoMn/MgO素子において室温250%程度，低温600％程度のTMR比を報告した．ここでは，さらにFeを添加したCoMnFe合金/MgO素子の作製とその特性の組成依存性について報告する．