[11p-Z08-1~19] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[11p-Z08-16] 準安定bcc CoMnFe電極を用いた磁気トンネル接合

〇池田 純一^1,2、一ノ瀬 智浩²、土屋 朋生^3,4、小野寺 優太^1,2、鈴木 和也^2,4、水上 成美^2,3,4 (1.東北大工、2.東北大材科研、3.先端スピントロ研、4.スピントロ学連研)

キーワード：スピントロニクス, トンネル磁気抵抗効果

磁気抵抗不揮発性メモリや磁気センサーの更なる高性能化や，新規人工知能デバイスの実現に向けては，より大きなTMR比を発現する新しいMTJ材料の探索やその材料物理の理解が求められる．我々は材料の探索の幅を広げるために準安定相材料に着目した研究を進め，そのうちの一つであるbcc CoMn/MgO素子において室温250%程度，低温600％程度のTMR比を報告した．ここでは，さらにFeを添加したCoMnFe合金/MgO素子の作製とその特性の組成依存性について報告する．