[11p-Z09-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [11p-Z09-10] NISQ device with silicon qubits for large scale integration

〇Masahiro Tadokoro^1,2, Takashi Nakajima², Takashi Kobayashi², Kenta Takeda², Akito Noiri², Kaito Tomari¹, Seigo Tarucha², Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech., 2.Riken)

Keywords:qubit, silicon quantum dot, NISQ

量子エラー訂正機能を持たない中規模の量子コンピュータであるNISQデバイスが近年注目を集めている。その中でシリコン量子ビットは長いコヒーレンス時間を持ち、大規模集積化に有利な系であると考えられている。本研究では計9つのSi/SiGe量子ドットを3 x 3の二次元配列状に配置したNISQデバイスを提案する。このデバイスを単位構造として大規模集積化することでより実用的なNISQデバイスの実現が期待される。