[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [11p-Z09-11] クライオCMOSを用いた極低温下における1/fノイズ発生源の解明

〇岡 博史¹、松川 貴¹、加藤 公彦¹、飯塚 将太¹、水林 亘¹、遠藤 和彦¹、安田 哲二¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：シリコン量子コンピューター, クライオCMOS, ノイズ

シリコン量子コンピューターの高性能化には、基本素子であるシリコンスピン量子ビットの量子状態の喪失を抑制する必要がある。量子状態は電気ノイズにより失われるが、極低温下で発生するノイズの起源は解明されていない。本研究では量子ビットの性能を制限するノイズの起源を特定するため、面方位の異なる基板上に作製したクライオCMOSの電流揺らぎを系統的に評価し、極低温下で界面欠陥がノイズに及ぼす影響を明らかにした。