[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11p-Z09-14] Cu(111)高配向制御が可能な極薄TaWNバリヤの構造解析

〇武山 真弓¹、佐藤 勝¹、安田 光伸² (1.北見工大、2.東レリサーチセンター)

キーワード：Cu配線, (111)高配向成長, 極薄バリヤ

LSIの多層配線において、Cu(111)配向はエレクトロマイグレーション耐性に優れていることから切望されているものの、Cu(111)配向を実現する下地材料の選択性に乏しいこととCu拡散を抑制できないことから問題となっていた。我々は、5nmの拡散バリヤを用い、その構造・組織に着目することで、Cu(111)配向と優れた拡散バリヤ特性の両方が得られることを実証するとともに、従来困難とされてきた5nmのバリヤ膜の構造解析に成功したので、その詳細を報告する。