2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術

[11p-Z09-1~15] 13.5 デバイス/配線/集積化技術

2020年9月11日(金) 12:45 〜 17:15 Z09

山端 元音(NTT物性研)、多田 宗弘(NEC)、遠藤 和彦(産総研)

17:00 〜 17:15

[11p-Z09-15] 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いた実測反射率測定における光吸収要因解析

小柳 樹1、水川 友里2、花房 宏明2、東 清一郎2 (1.広大院先端研、2.広大院先進理工)

キーワード:OICT

これまでに赤外レーザーを用いた光学干渉非接触温度測定(Optical Interference Contactless Thermometer : OICT)[1]を用いて、シリコンウェハ上の金属薄膜を通電加熱することでデバイスの自己発熱を模擬した場合の熱拡散過程について報告した. 本研究では、シリコンウェハ上の金属薄膜に通電加熱した時に実測した反射率波形のパルス幅依存性について調査した。