[11p-Z09-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[11p-Z09-6] Mechanism of Gate-Length Dependence of Quantum Dot Operation in Isoelectronic-Trap-Assisted Tunnel FETs

〇Shota Iizuka¹, Hidehiro Asai¹, Kimihiko Kato¹, Junichi Hattori¹, Koichi Fukuda¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:Quantum dot, Isoelectronic trap assisted tunnel FET

等電子トラップ援用トンネルFETをベースとした量子ドット素子における、ドットを介したトンネル電流特性のゲート長依存性を調べた。短いゲート長の素子では、トンネル距離がゲート長とほぼ等しくなり、電流強度はゲート長に依存することがわかった。また、長いゲート長の素子で実験的にトンネル電流が観測されない理由は、電子がトンネルできるような量子ドットの座標が狭い領域に限定されるためであることを明らかにした。